第64章 位错理论体系

如果能够控制位错，那么就能够大大提升晶体的实际强度，拉近其和理论强度的差距。

这，便是慕景池现在的科研道路。

正如这些硕士研究生所想，位错着实十分的复杂，而且其研究的是原子的运动。原子根本不可能受人为的操控，所以位错既复杂也困难。

如果是以前的慕景池，他绝对不会挑战这么复杂的理论和课题，老老实实的跟着导师的方向走。

但已经容纳《材料科学基础（2069版）》的慕景池，他已然具备这个资格。

什么是位错？

众所周知，晶体的实际强度远低于其理论强度。

所谓晶体的实际强度就是实验测得的单晶体的临界分切应力，这个值一般在10-4~10-8g，g是晶体的剪切模量。而理论强度则是按完整晶体刚性滑移模型计算的强度。

以前人们认可晶体刚性滑移模型，但是后来发现，晶体的理论强度比实际强度至少高三个量级。

理论强度和实际强度的巨大差别，迫使人们放弃完整晶体的刚性滑模型。

在未来的2069年中，位错理论发展得有些深入了。

而这都归结于一个人，汤普森。

他在位错上有着非常深入的研究，发布了很多关于位错的理论，最后甚至于用一个位错方程将所有的位错理论串联起来，构建了一个完整的汤普森位错理论体系。

那个方程，也被称之为汤普森位错方程。

这些，现在都归于了慕景池。

人们推测晶体中一定存在着某种缺陷，它不仅引起应力集中，而且缺陷区内的原子处于不稳定状态，因而很容易运动。

这样一来，晶体的滑移过程就是首先在缺陷去发生局部滑移，然后局部滑移区不断扩大。

而这种引起局部滑移的缺陷，就叫做位错！

看起来位错仅仅只是材料中的一点点缺陷而已，但事实上它的作用非常大，继续研究下去可以说是一个深不见底的课题。

位错影响晶体的加工硬化，金属灰退火软化也和位错有关，位错能够使晶体的弹性模量减小、内耗增大，影响合金的强化等等。